Розроблено математичну модель вольт-амперної характеристики мікроелектронного оптичного перетворювача на основі біполярного та МДН-транзисторів з активним індуктивним елементом для контролю плазмохімічних елементів.

Розроблено математичну модель мікроелектронного оптичного перетворювача з активним індуктивним елементом, призначеного для контролю плазмохімічних процесів. На основі моделі отримано аналітичні залежності для функції перетворення та рівняння чутливості.

Розроблено математичну модель мікроелектронного оптичного перетворювача, яка складається з біполярного та МДН-транзисторів та фоточутливого резистора, на основі якої отримано аналітичні залежності для функції перетворення та рівняння чутливості.

Розроблено математичну модель віркатора, на основі якої розраховано основні вихідні характеристики приладу. Отримано графічні результати та за допомогою програмного середовища для розрахунку MatLab 6.1 показано, що для частоти генерації 18 ГГц значення ККД становить 9 %, а також зі збільшенням частоти генерації, повний ККД віркатора нелінійно зменшується, що пов’язано з ускладненнями при перебудові частоти генерації з її зростанням.

Отримано аналітичний вираз вольт-амперної характеристики оптичного частотного перетворювача для контролю плазмохімічних процесів на основі системи рівнянь Кірхгофа, складеної для еквівалентної схеми перетворювача по постійному струму.

Показано можливість реалізації електровакуумного приладу віркаторного типу, принцип дії якого базується на взаємодії електронного пучка з плазмою. Розроблено математичну модель пучково-плазмового віркатора, на основі якої розраховано основні вихідні характеристики та потужність приладу. Отримано графічні залежності потужності пучково-плазмового віркатора від концентрації частинок плазми та від частоти генерації при різних тисках робочого газу. Теоретичні та експериментальні дослідження показали, що зі збільшенням тиску робочого газу відбувається збільшення потужності до 90 ГВт та суттєве розширення робочої смуги частот приладу.

Проаналізовано шляхи підвищення ефективності контролю і управління плазмохімічними процесами в мікроелектронній технології за рахунок впровадження нових підходів в реалізації контролю на основі сучасних досягнень в цій області, а також побудови систем управління в реальному часі, розробки сучасних контролерів на основі використання моделі процесу з використанням сучасних сенсорів в колі зворотного зв’язку, розробки нових типів контролерів управління.